【据美国《每日科学》网站2015年1月19日报道】德国尤利希研究中心和瑞士保罗·谢尔研究所首次通过化合第四主族元素锗和锡（含量10%以上）创建了第四主族直接能隙半导体激光器（纯锗通常被认为是间接能隙半导体材料，因发光效率低而不适合做激光器）：直接贴在硅（同为第四主族元素，热膨胀系数与上述二者相同，从而兼容导致长寿命）晶片（芯片材料）上的该激光器不但能放大光学信号，还能产生激光（肉眼不可见），该技术为计算机多核间光传送数据及逻辑元件与存储元件间光传输数据流奠定了基础；光传输可克服铜导线的热负载、带宽以及时钟信号能耗局限。目前的缺点是未优化的测试系统使该激光器运行受限于-183摄氏度低温，下一步将在无冷却环境用电产生激光替代上述实验，建造室温运行的电泵浦激光器。该激光器应用前景还有：探测碳化合物（如温室气体或生物分子）；通过光谱分析收集血糖水平或其它参数信息的气体激光器或可植入芯片；集成进智能手机、高性价比的便携式传感器技术在空中或地面提供物质分布实时数据，更好地了解天气并进行气候研究。